Исследователи Гонконгского университета разработали программируемую криогенную нейроморфную платформу на базе транзисторов из карбида кремния. Она имитирует импульсную активность нейронов при температурах до 10 мК.
В основе разработки — управляемое отрицательное дифференциальное сопротивление в SiC MOSFET-транзисторах. Эффект проявляется при охлаждении ниже 2 К и позволяет создавать энергоэффективные нейроморфные схемы, включая сенсорные, логические и интегрирующие нейроны.
Авторы рассматривают платформу как способ снизить тепловыделение и объем проводки в криогенных системах управления кубитами. Среди возможных применений — квантовая коррекция ошибок, управление кубитами в реальном времени и электроника для глубокого космоса.
